基本描述：
H5TQ2G63BFR是一2,147,483,648位CMOS双数据传输速率III（DDR3）同步DRAM，非常适合主内存的应用程序需要大量的存储密度和高带宽。 SK海力士2GB DDR3的SDRAM提供充分参考在时钟的上升沿和下降沿同步操作。 虽然所有的地址和控制输入的上升沿锁存CK（下降沿的CK），数据，数据选通信号和写数据屏蔽输入的上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线和8位预取，达到非常高的带宽。 DDR3 SDRAMH5TQ2G63BFR,H5TQ2G63BFR是一2,147,483,648位CMOS双数据传输速率III（DDR3）同步DRAM，非常适合主内存的应用程序需要大量的存储密度和高带宽。 SK海力士2GB DDR3的SDRAM提供充分参考在时钟的上升沿和下降沿同步操作。 虽然所有的地址和控制输入的上升沿锁存CK（下降沿的CK），数据，数据选通信号和写数据屏蔽输入的上升沿和下降沿采样。 数据路径内部流水线和8位预取，以达到非常高的带宽。
功能特点：
VDD = VDDQ = 1.5V + / - 0.075V
全差分时钟输入（CK / CK）操作
差分数据选通（DQS / DQS）
在芯片DLL对齐DQ，DQS和/ DQS与CK过渡过渡
DM口罩写数据在两个数据选通信号的上升沿和下降沿
所有的地址和控制输入，除了在时钟的上升沿锁存数据，数据选通信号和数据口罩
可编程CAS延时6，7，8，9，10，11和12
可编程添加剂延时0，CL-1和CL-2支持
可编程CAS写延时（CWL）= 5，6，7，8，9，10
四位顺序和交错模式可编程的突发长度为4/8
BL开关飞
8banks
平均刷新周期（T案件为0°C～95°C） - 7.8μs在0°C～85°C - 3.9μs在85°C～95°C
自动自刷新支持
JEDEC标准96ball FBGA（X16）
驱动强度选择EMRS
动态片上终端支持
异步复位引脚支持
支持ZQ校准
写Levelization支持
在模具的热传感器支持
8位预取
芯扬国际（香港）有限公司
曾小姐 Lisa
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