特性描述
TM2132 是一个高压、高速的MOSFET、IGBT 驱动器。它有三个半桥式栅极驱动，高压侧
的VS 引脚采用浮动电压设计，可以适应浮动电压高达200V 的半桥电路，上下桥互补设计，
允许高端采用N 沟道的MOSFET、IGBT；TM2132 的逻辑保护功能，可以防止上下桥直通，提
高整个电路的可靠性。
功能特点
VS 引脚允许浮动的电压高达+200V，适用于自举升压操作
栅极驱动器的电压范围宽（10V-17V）
VCC 具备欠压锁定功能，在欠压时关断输出
输入兼容3.3V、5V CMOS 逻辑电平
所有输入引脚都有CMOS 施密特触发器，提高抗噪声能力
高端输出相位与(A,B,C)HIN 同相
低端输出相位与(A,B,C)LIN反相
内置逻辑保护
内置死区时间
拉电流能力为130mA
灌电流能力为270mA
封装形式：SOP20