现货供应 IRF640NPBF MOS管/场效应管/IGBT 原装正品
品牌/型号
IR/国际整流器/IRF640NPBF
MOS管/场效应管/IG
N沟道 100V 33A
IRF640N参数与应用
产品信息
- 场效应管 MOSFET N TO-220 200V 18A
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:18A
- 电压, Vds 最大:200V
- 在电阻RDS(上):150mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 功耗, Pd:150W
- 工作温度敏:-55°C
- 工作温度最高:175°C
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)
- 功率, Pd:150W
- 功耗:150W
- 封装类型:TO-220AB
- 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
- 漏极电流, Id 最大值:18A
- 热阻, 结至外壳 A:1°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:200V
- 电压, Vgs 最高:4V
- 电流, Idm 脉冲:72A
- 表面安装器件:通孔
- 阈值电压, Vgs th 最高:4V