SPS放电等离子烧结系统 （Spark Plasma Sintering System） HPD（Spark Plasma System –Direct Heating System ）-直接加热 -电磁辅助烧结技术-FAST(Field Assisted Sintering Technology) 采用SPS烧结方法，由于工件直接由直流电流脉冲加热，所以烧结工艺周期可以缩短 至几分钟。采用直流短脉冲使得很多材料的烧结活性增加，粒子接触点部位发生诸 如焦耳加热、等离子发生、电迁移等过程。所以，和传统的热压和烧结工艺相比， SPS的烧结温度、模具压力比前两者低很多。 SPS设备为非常特殊的新型材料的制造提供了可能，诸如： ● 可以在晶粒无显著长大的状态下烧结出纳米材料， ● FGM（功能梯度材料） ● 复合材料 ● 碳化钨或其它硬质材料 ● 氧化铝或铜合金/金属间化合物 ● 结构陶瓷、功能陶瓷 设备包括全数字化液压控制系统，带有精确的速度/压力控制，配置光学位置传感器。 双层、水冷炉室，压力自5×10-2mbar至一个大气压，静态和流动的工艺气体控制系 统。 电源发生器产生可编程的直流电脉冲，满足各种个性化需求。 烧结温度可以达到2400℃，配有最多达5支热电偶和两个光学高温计。 所有的工艺参数都可以编程，烧结过程可以自动运行。工艺控制系统可以灵活地处理 烧结工艺菜单，也可以通过完整的数据日志灵活地记录工艺数据，用来进行数据分析。 事实上，控制系统对工艺的复杂性没有任何限制，也就是说，每个工艺任务都可以找 到解决方案。 可以用FCT技术中心的SPS-FAST炉进行工艺实验，我们的专家可以自始 至终协助您开发新型烧结工艺和设备，以促进新材料的发展和进步。 HPD设备-SPS放电等离子烧结系统/直接加热

HPD 型号	模具尺寸	样品直径	压力	电压	电流	功率消耗
	(mm)	(mm)	(Ton)	(V)	（A)	（KVA)
HPD 5	Φ60×180	Φ30	5	10	6000	40
HPD 10-C*	Φ100×200	Φ40	10	10	10000	85
HPD 25	Φ200×300	Φ80	25	10	10000	85
HPD 100	Φ350×300	Φ150	100	10	30000	300
HPD250	Φ400×450	Φ300	250	10	60000	550
HPD250-C*	Φ400×450	Φ300	250	10	60000	550

*连续烧结炉

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