产品特点
- 每片集成一组或两组的自旋阀巨磁电阻（GMR）惠斯通电桥
- 模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出
- 测量范围：±0.3mT～±4.3mT
- 灵敏度：3mV/V·mT～40mV/V·mT
- 供电电压：DC1V～DC20V
- 频率响应：0～1MHz
- 非线性度：0.4%～2%
- 温度稳定性：≤20 ppm/℃
- 工作温度范围：-40℃～85℃（类），-55℃～125℃（第二类）
- SOP8表面贴装封装
应用领域
- 磁头
- 接近开关
- 角度传感器、转速传感器、位移传感器
- 电流检测
- 磁电编码器
- 电子罗盘
- 特种弱磁检测领域
产品描述
自旋阀巨磁电阻（GMR）传感器芯片VA系列是用于检测磁场的惠斯通电桥结构。当向电桥供电后,在敏感轴方向加入磁场强度会引起电桥电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。VA系列巨磁电阻（GMR）传感器芯片采用一组或两组的GMR惠斯通电桥结构，将磁场转化成模拟正电压（半桥）或差分电压（全桥）输出，具有宽的测量范围、高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度，可以测量±0.3mT～±4.3mT的磁场，采用超小型尺寸封装。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。
产品参数说明
——高灵敏度系列
|
型号 |
测量范围(mT) |
分辨力
(nT) |
灵敏度典型值
(mV/V·mT) |
非线性度
(%)FS |
温度漂移(ppm/℃) |
电阻值(Ω) |
|
VA100F2 |
±0.3 |
20 |
36 |
1.0 |
1.0 |
2500 |
|
VA100F3 |
±0.4 |
22 |
26 |
1.2 |
3.3 |
5000 |
|
VA100F4 |
±0.4 |
32 |
24 |
0.7 |
7.2 |
5000 |
|
VA200F3 |
±0.3 |
X: 18 Y:20 |
X:25 Y:26 |
2.2 |
1.4 |
5000 |
|
VA200F4 |
±0.5 |
X：20 Y:18 |
X:24.5 Y:24 |
1.2 |
1.7 |
2500 |
——宽测量范围系列(Vcc=5V)
|
型号 |
电阻（Ω） |
灵敏度
（mV/V·mT） |
饱和场
（mT） |
分辨力
（ nT） |
非线性度
(%)FS |
温漂
ppm/℃ |
|
VA110F2 |
5000 |
14 |
2.0 |
241 |
0.59 |
8.8 |
|
VA110F3 |
10000 |
10 |
4.8 |
727 |
0.55 |
6.4 |
|
VA110F4 |
20000 |
6 |
4.6 |
1212 |
0.75 |
5.3 |
|
VA110F5 |
10000 |
6 |
4.6 |
1177 |
1.0% |
6.4 |
|
VA110H2 |
20000 |
5 |
2.6 |
|
|
|
|
VA110H2R |
20000 |
5 |
2.6 |
|
|
|
|
VA110H3 |
20000 |
3 |
4.3 |
|
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|
|
VA110H3R |
20000 |
3 |
4.3 |
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注：型号不同，售价不同，详细请电询！
