SVD4N60D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用仕兰微电子的S-Rin^TM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
   该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动