1.1 概述
BJ2989D晶体管正偏二次击穿测试系统可测试中、大功率NPN型晶体三极管热阻参数的二次击穿电压。采用计算机自动控制测试，测试结果自动处理，十分方便快捷，可自动绘制构成器件安全工作区重要的二次击穿功率PSB曲线。
1.2 本系统的主要特点
● 正偏二次击穿电压测试可测试NPN型晶体三极管；
● 二次击穿测试过程中对被测管保护速度快，关断时间小于500ns，能够有效避免被测管在测试过程中损坏；
● 采用通用微机控制，基于Windows系统的控制软件，具有友好的人机交互界面，窗口填表式编程，测试结果以表格及图形曲线方式显示，使您轻松掌握测试。
1.3 本系统的主要技术指标
1.3.1 测试电压源
1.3.2 测试电流源
电流量程 | 分辨力 | 精度 |
-250mA~250mA | 122uA | ±(610uA+2%set) |
±(250mA~2.5)A | 1.22mA | ±(6.1mA+2%set) |
±(2.5A~3.5)A | 12.2mA | ±(61mA+2%set) |
1.3.3 VSB测试电压范围及精度
电压量程 | 分辨力 | 精度 |
-8.125~8.125V | 3.97 mV | ±(7.94mV+0.25%Rdg) |
±(8.125~16.25)V | 7.94mV | ±(15.88mV+0.25%Rdg) |
±(16.25~32.5)
V | 15.88mV | ±(31.76mV+0.25%Rdg) |
±(32.5~65) V | 31.76mV | ±(63.52mV+0.25%Rdg) |
±(65~130) V | 63.52mV | ±(127.04mV+0.25%Rdg) |
±(260~300)
V | 127.04mV | ±(254.08mV+0.25%Rdg) |
1.3.4 测试电流源施加条件
脉宽：50us、100us、1ms、10ms 、100ms、 直流；
占空比：1:2、1:4、1:8、1:16、1:32、1:64、直流。
脉宽与占空比可进行以上选项任意组合选择。
