供应西门子CPU224XP 订货号:6ES7214-2AD23-0XB8
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CPU 224 XP 和 CPU 224 XPsi 装配有:
CPU 224 XP
种类 | 电源电压 | 输入电压 | 输出电压 | 输出电流 |
| 24 V DC | 24 V DC | 24 V DC | 0.75 A, 晶体管 |
| 85 至 264 VAC | 24 V DC | 24 V DC, 24 至 230 V AC | 2 A,继电器 |
CPU 224 XPsi
种类 | 电源电压 | 输入电压 | 输出电压 | 输出电流 |
| 24 V DC | 24 V DC | 24 V DC, 漏电流 | 0.75 A, 晶体管 |
STEP 7-Micro/WIN32 V4 可以对所有 S7-200 CPU 进行编程.
注意:
不能使用 STEP 7-Micro/DOS 对 CPU 224 进行编程。如果通过PG/PC的串口进行编程,则额外需要PC/PPI电缆。当使用STEP 7 Micro/Win V4编程时,可以通过SIMATIC CP 5511 或 CP 5611进行编程,以及通过编程器的MPI接口编程。此时最高传输速率为187.5 kbps。
| 6ES7 214-2AD23-0XB0 | 6ES7 214-2BD23-0XB0 | 6ES7 214-2AS23-0XB0 |
电源电压 | | | |
额定值 | | | |
| √ | | √ |
| 20.4 V | | 20.4 V |
| 28.8 V | | 28.8 V |
| | √ | |
| | √ | |
| | 85 V | |
| | 264 V | |
| | 47 Hz | |
| | 63 Hz | |
负载电压 L+ | | | |
| 24 V | 24 V | 24 V |
| 20.4 V | 5 V | 20.4 V |
| 28.8 V | 30 V | 28.8 V |
负载电压L1 | | | |
| | 100 V;100 - 230 VAC | |
| | 5 V | |
| | 250 V | |
| | 47 Hz | |
| | 63 Hz | |
电流消耗 | | | |
突波电流,最大 | 28.8 V 时 12 A | 264 V 时 20 A | 28.8 V 时 12 A |
从电源L+ 供电,最大 | 900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA | | 900 mA; 120 - 900 mA,扩展模块输出电流(5 VDC) 660 mA |
从电源L1供电,最大 | | 220 mA; 35 - 100 mA (240 V); 70 - 220 mA (120 V); 扩展模块输出电流 (5 VDC) 600 mA | |
后备电池 | | | |
电池选件 | | | |
| 100 小时;(40 ℃ 时,最短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) | 100 小时;(40 ℃ 时,最短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) | 100 小时;(40 ℃ 时,最短 70 小时);带有可选电池模块时,200 天(典型值) |
存储器 | | | |
存储类型 | | | |
存储模块数量(选件) | 1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 | 1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 | 1,可插入存储模块,内容存储在内置的EEPROM中,此外还可以存储配方、数据记录和其他文件。 |
数据和程序存储器 | | | |
| 10 KB | 10 KB | 10 KB |
| 16 Kibyte;12 KB,有源运行时编辑 | 16 Kibyte;12 KB,有源运行时编辑 | 16 Kibyte;12 KB,有源运行时编辑 |
后备 | | | |
| √;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 | √;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 | √;程序:集成 EEPROM 上的整个程序免维护,可通过 CPU 编程;数据:集成 EEPROM 上从编程器/PC 加载的整个 DB 1 免维护,RAM 中 DB 1 的电流值,通过高性能电容器,非易失性内存位、计时器、计数器等免维护;可选电池,用于长期缓冲 |