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型号 |
封装形式 |
类型 |
电流 |
内阻 |
击穿电压 |
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SC2301 |
SOT23 |
PMOS |
3A |
100mΩ |
-20V |
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SC2302 |
SOT23 |
NMOS |
3A |
100mΩ |
20V |
晶体管类型 : P沟道MOSFET
功耗PD : 1.25W
栅极门限电压VGS : 2.5V(典型值)
漏源电压VDS :-20V(极限值)
漏极电流ID:TA=25°时:-2.3A,TA=70°时:-1.5A
通态电阻RDS(on):0.145ohm(典型值)
栅极漏电流IGSS:±100nA
结温:55℃to+150℃
封装:SOT-23(TO-236)