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MOCVD技术与专利简史
MOCVD(metal-organic chemical vapor deposition，金属有机化学气相沉积)又称为OMVPE(organometallic vapor phase epitaxy，有机金属气相外延)或者MOVPE(metal-organic vapor phase epitaxy，金属有机气相外延)的技术开发可以追溯到20世纪60年代。早在1961年10月，工作在美国Monsanto(孟山都)公司的 Robert A. Ruehrwein(1916年～1995年)在美国申请了与MOCVD相关的专利(3218203)，并于1965年11月获得了授权。这个专利主要针对的是II-VI族化合物半导体异质结和组分渐变晶体薄膜的生长，包括了在同质和异质衬底上的外延等，它被认为是与MOCVD相关的最早的专利。可是真正使MOCVD技术逐渐成熟并使MOCVD成为各种化合物半导体，特别是III-V族器件材料生长重要工具的是美国的Rockwell International公司。20世纪60年代，工作在Rockwell International公司的工程技术及研发人员围绕III-V族MOCVD材料生长设备及工艺做了大量的技术开发工作。 H.M.Manasevit(1927年～2008年)是其中的主要研究人员，并于1968年在美国申请了与MOCVD相关的专利(705213)。可是，当时的专利申请并没有被美国专利局接受，而是遭到了拒绝。1978年，Rockwell重新申请(专利号4368098)，1983年才得到授权。具有戏剧性的是，1997年，Rockwell的专利被宣布无效，但后来申诉成功，又成为有效。就是这样一个阴差阳错的专利后来给Rockwell带来了巨大的财富。因为如果Rockwell在1968年申请时就获得了这项专利，那么这项专利在1990年以前也就到期了。可是MOCVD的市场需求是到了 1993年后才呈现出稳定的增长。所以，Rockwell在这项专利上是因祸得福，甚至到了2000年还有与MOCVD相关的专利诉讼发生。在这项专利有效期间，在这项专利保护的区域，不论是哪家MOCVD设备制造厂商，每卖出一台设备就要交给Rockwell一笔可观的专利费用。
在过去50多年的MOCVD科研、技术开发和工业化过程中，有很多人作出了重要的贡献。留下深刻印象的人和研究单位有：
1. Dr.Norman E.Schumaker，Emcore公司创始人
2. Dr.Holger Jürgensen，Aixtron公司创始人;
3.LED之父Dr.Nick Holonyak的学生George Craford，Russell Dupuis和Dan Dapkus，进行了LED、半导体激光器等开拓性研发工作;
4. Dr.G.Stringfellow，早期在HP Labs，后在犹他大学进行MOCVD材料生长热力学的研究和教学;
5. Dr. Shuji Nakamura，在GaN MOCVD生长方面做了很多开创性的工作。
