Cr4+:YAG 是大量用于1μm钕和镱激光器的优秀被动Q开关晶体。i激元公司采用自主研发的先进工艺生产高质量Cr4+:YAG晶体，具有Q开关输出效率高、适合重复频率工作等特点。本公司提供各种规格Cr4+:YAG晶体被动Q开关元件。
Cr4+:YAG 晶体优势
抗光损伤阈值高
比染料和色心可饱和吸收体稳定、耐用
在某些情况下可替代电光Q开关输出高功率激光脉冲
技术指标
晶向 | [100] or [111]，偏差 5°以内 |
初始吸收系数 | 0.5～6cm-1 @1064nm |
初始透过率 | 5%~95%@1064nm |
元件尺寸 | 直径:3～12mm
截面:3×3~12×12mm |
尺寸公差 | 直径:+0.00/-0.05mm
厚度: ±0.5mm |
柱面加工 | 400#磨料精磨 |
端面平行度 | ≤30" |
端面平面度 | λ/8 @632.8nm |
表面质量 | 20-10 (MIL-O-13830A) |
抗光损伤阈值 | ≥500MW/cm2 |
增透膜反射率 | ≤0.25%@1064nm |
膜层抗激光损伤阈值 | ≥500MW/cm2 |
