MJD45H11T4G 特点


MJD45H11T4G，采用DPAK/-55~150封装方式。
类型:PNP
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80
集电极电流IC(Max)(A):8
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE值(dB):－
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):DPAK/-55~150

MJD44H11T4G 特点


MJD44H11T4G，采用3DPAK/-55~150封装方式。
类型:NPN
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):80
集电极电流IC(Max)(A):8
直流电流增益hFE最小值(dB):40
直流电流增益hFE值(dB):－
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):3DPAK/-55~150

变频器配套三极管、场效应管供应,ONsemi安森美全系二、三极管：
MJD44H11T4G  MJD45H11T4G  D44VH10G   D45VH10G  UC2844BD1R2G UC3842BD1R2G 
MC74ACT244DWR2G MMBT4401LT1G MMBT4403LT1G  MMBT5551LT1G  MMBD7000LT1G  
BC846BW BC847BW BAV70LT1G BAV99LT1G 。。。
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