产品介绍:
1. DW01概述
DW01内置高精度电压检测电路和延迟电路,是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池
的保护 IC。
本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。
2. 特点
DW01+具备如下特点:
1)高精度电压检测电路
锂电池保护MOSFET:
过充电检测电压 4.30V 精度±50mV
过充电释放电压 4.10V 精度±50mV
过放电检测电压 2.40V 精度±100mV
过放电释放电压 3.00V 精度±100mV
放电过流检测电压 150mV 精度±30mV
负载短路检测电压 0.85V(固定)精度±300mV
2)各延迟时间由内部电路设置(不需外接电容)
过充电检测延迟时间 典型值100ms
过放电检测延迟时间 典型值50ms
放电过流检测延迟时间 典型值10ms
3)低耗电流
工作模式 典型值3.0μA ,最大值6.0μA(VDD=3.9V)
休眠模式 最大值0.1μA(VDD=2.0V)
4)连接充电器的端子采用高耐压设计(CS端子和OC端子,绝对最大额定值是20V)
5)工作温度范围: -40℃~+85℃
6)小型封装: SOT-23-6
3.应用:
1) 1节锂离子可再充电电池组
2) 1节锂聚合物可再充电电池组
8205A参数:
低导通电阻的RDS(ON)=27mΩ最大值。(V GS =4.5V,ID= 6A)
导通电阻RDS(ON),= 36mΩ最大值。(VGS= 2.5V,编号= 5A)
封装形式:SOT-23-6(6脚)
TSSOP-8(8脚)
先进的功率MOSFET利用先进的加工技术,以实现低电阻,非常高效和符合成本效益的设备,最适合锂离子电池的充电和放电开关。
深圳市中科晟科技有限公司
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