现货供应IRLR120NTR MOS管/场效应管/IGBT 原装正品
品牌/型号
IR/国际整流器/IRLR120NTR
MOS管/场效应管/IG
N沟道 100V 10A
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产品信息
- 场效应管 MOSFET N D-PAK
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:10A
- 电压, Vds 最大:100V
- 在电阻RDS(上):185mohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2V
- 功耗, Pd:48W
- 工作温度敏:-55°C
- 工作温度最高:175°C
- 封装类型:TO-252
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)
- SMD标号:IRLR120NPBF
- 外宽:6.8mm
- 外部深度:10.5mm
- 外部长度/高度:2.55mm
- 封装类型:DPAK
- 封装类型, 替代:TO-252
- 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
- 总功率, Ptot:48W
- 晶体管数:1
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 最大值:10A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:100V
- 电压, Vgs ???高:2V
- 电流, Idm 脉冲:35A
- 表面安装器件:SMD