制造商制造商零件编号描述对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况

Fairchild Semiconductor

FDN358P

MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

标准包装类别家庭系列包装FET 类型FET 功能漏源极电压 (Vdss)电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)功率 - 最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装

3,000

分立半导体产品

FET - 单

PowerTrench®

带卷 (TR)

MOSFET P 通道，金属氧化物

逻辑电平门

30V

1.5A

125 毫欧 @ 1.5A，10V

3V @ 250µA

5.6nC @ 10V

182pF @ 15V

460mW

表面贴装

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

3-SSOT

芯科国际​