K3878 是高压场效应管
Vdss 900V
Id 9A
Rds 1.0Ω
Vgs(th @ 1mA 4V
Pd 150W
封装 TO-3P(N)
直销TOSHIBA MOS 2SK3878 K3878 900V N沟道
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日本TOSHIBA MOS 2SK3878 K3878 900V N沟道,2SK3878 K3878功率MOSFET主要用于开关稳压器。
2SK3878 K3878 TOSHIBA MOS特点:
▲极性:N沟
▲漏源电压VDSS:900V
▲漏电流ID:9 A
▲功耗PD:150 W
▲门电荷总数Qg (nC) (标准) :60
▲低的漏源电阻:RDS(ON)= 1.0Ω(typ.)
▲高正向传输导纳:| YFS|=7.0S(typ.)
▲低漏电流:IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V)
▲增强模式:Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
▲封装:TO-3P(N)
2SK3878 K3878 TOSHIBA MOS绝对最大额定值:(Ta= 25 ℃)
Characteristics | Symbol | 2SK3878 | Unit | |
Drain−source voltage | VDSS | 900 | V | |
Drain−gate voltage (RGS = 20 kΩ) | VDGR | 900 | ||
Gate−source voltage | VGSS | ±30 | ||
Drain current | DC (Note 1) | ID | 9 | A |
Pulse (Note 1) | IDP | 27 | ||
Drain power dissipation (Tc = 25°C) | PD | 150 | W | |
Single pulse avalanche energy (Note 2) | EAS | 778 | mJ | |
Avalanche current | IAR | 9 | A | |
Repetitive avalanche energy (Note 3) | EAR | 15 | mJ | |
Channel temperature | Tch | 150 | °C | |
Storage temperature range | Tstg | −55 to 150 | ||
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