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干法刻蚀 干式蚀刻技术可以分为三个单独的类称为反应离子刻蚀（RIE），溅射刻蚀，气相腐蚀。 在刻蚀，基板放置在其中介绍了几种气体的反应堆。
等离子体是气体的混合物，使用射频电源击中，打破成离子气体分子。 对离子加速，并在材料表面被腐蚀，形成另一种气态物质反应。 这就是所谓的化学反应离子刻蚀部分。
也有身体的一部分，这是在溅射沉积过程的性质类似。 如果离子有足够高的能量，他们可以敲原子的物质，没有化学反应蚀刻。
平衡物理和化学蚀刻，因为有很多的参数进行调整，这是一个非常复杂的任务，发展干蚀刻制程。
它通过改变平衡是可能的影响各向异性蚀刻，因为化学部分是各向同性的和身体的一部分高度各向异性的组合可以形成具有形状从圆形到垂直的侧壁。
一个典型的反应离子蚀刻系统的示意图如下图所示。 子类的的刻蚀特殊的继续增长迅速普及是深反应离子刻蚀（DRIE）。
在这个过程中，可以实现数百微米蚀刻深度，以近乎垂直的侧壁。
的主要技术是基于所谓的“Bosch工艺”命名的德国罗伯特·博世公司提交的原始专利后，两个不同的气体成分，其中反应堆交替。
的气体成分，创建一个聚合物基材表面上，和第二气体成分蚀刻基板。 聚合物立即溅射物理部分的蚀刻，但仅限于水平表面和侧壁。
由于聚合物只溶解很慢，在化学蚀刻部分，它建立在侧壁和保护他们从蚀刻。 因此，50至1蚀刻长宽比可以实现的。
过程中可以很容易地被用来蚀刻完全通过一个硅衬底，蚀刻速率比湿蚀刻高出3-4倍。 溅射刻蚀反应离子刻蚀基本上没有。 使用该系统非常相似，在原则上溅射沉积系统。
最大的区别是，基板正遭受离子轰击，而不是用于溅射沉积的物质目标。 气相蚀刻是另一种干式蚀刻方法，它可以用简单的设备比刻蚀需要什么。
在这个过程中被蚀刻的晶圆被放置在室，在其中一个或多个气体引入。 被腐蚀的材料被溶解在表面与气体分子的化学反应。
最常见的两种气相蚀刻技术是使用氟化氢（HF）和使用的，氙diflouride（XeF2），这两者在本质上是各向同性的硅刻蚀二氧化硅蚀刻。
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