订购信息型号OH12AF工作温度-40～120℃封装SOT143包装3000只/盘 概述锑化铟（InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成，以霍尔效应为工作原理，可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。典型应用检测磁性物质的旋转或者位置（用在无刷直流电机，无触点开关）检测磁场（如无接触电流传感器等） 极限参数(Ta=25℃)参数符号量值单位输入电流Imax20 (at 25℃)mA功耗Pmax150 (at 25℃)mW工作温度范围Top-40～ 120℃储藏温度范围Tst-40～ 150℃ 电参数(Ta=25℃) 参数符号检测条件最小值最大值单位霍尔输出电压VHVin＝1V, B＝500G（恒压）266320mV输入电阻RinI＝0.1mA240550Ω输出电阻RoutI＝0.1mA240550Ω不等位电压VoVin＝1V, B＝0G-7 7mV输出电压的温度系数αVHTa＝0～40℃AVG.--1.8% /℃输入输出电阻的温度系数αRiTa＝0～40℃AVG.--1.8% /℃ ※霍尔输出电压VH为实测值减区VO值，即VH＝VHM－VO, （VHM :在500GS下测得的输出电压值）