SY5810

1)无光耦、原边控制、 BCM工作模式
2 )初级侧MOS谷底导底、降低损耗
3)0.3V的采样参考电压以降低电感损耗
4)内部集成大功率推挽驱动MOS
5)较低的启动电流：典型值15uA
6)全电压工作范围内，PF高达0.9以上
7)可实现较高的恒流精度、3%以内
8)批量生产效率可达88%以上
9)内部具有开路保护、短路保护功能
10)最大输出功率最高可达30W

11)广泛应用于T8、球泡等LED产品