CS2N60，2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
CS2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效
应晶体管采用华晶的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺
技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源
转换器，高压 H 桥 PMW马达驱动。
特点
∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
CS4N60，4A、600V N沟道增强型场效应管
描述
CS4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效
应晶体管采用华晶的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺
技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品
具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿
耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源
转换器，高压 H 桥 PMW马达驱动。
特点
∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力