SPW11N80C3

Infineon/英飞凌:世界最低导通电阻之功率晶体管
小型化封装 小型化电源产品设计
低封装电阻  降低导通损耗
低封装电感  降低切换损失
产品特色：
符合国际规范要求
高效能上层冷却能力(低热阻Rth(J-C)
无引线封装
极低之封装电感值
极低之封装电阻值
极佳的优质化系数表现
产品优势：
易于散热
提高系统效率
功率晶体管的高速切换及高频操作
易于并联使用

型号：
晶体管极性：N沟道/P沟道
电流Id连续：
电压Vds最大值：
电阻Rds 值：
阈值电压Vgs th典型值：
功耗Pd ：
工作温度：
封装：
应用：汽车电子 消费电子 工业应用 电机控制和驱动 电源管理 照明LED 驱动
英飞凌MOS 管

1. 导通电阻
对大部份的应用而言，导通时所造成的导通损耗占整体MOSFET损耗的大部份，因此各家厂商均想办法降低MOSFET的导通电阻。MOSFET的最低导通电阻从1996 年的12mΩ降到今天的1mΩ以下。目前，英飞凌公司最新一代25V/30V的OptiMOS MOSFET最低额定导通电阻为1mΩ，如此低的导通电阻大幅地减少了导通损耗，提高了应用电路的功率密度。（在低电压功率晶体管中，封装电阻在整体导通电阻中所占比例较大，因此英飞凌最新的几款MOSFET主要以CanPAK、SuperSO8和S308新型封装为主,效率达93%以上，满负载>90%）。

2 高速切换/低切换损耗及驱动损耗
栅极电荷为造成切换损耗及驱重损耗之主要成因。较低的栅极驱动损耗，可以使得驱动电路的负载降低约30%以上。而且较快的切换还可以改善EMI。英飞凌新一代25V/30V的MOS管切换的上升下降时间均不低于5纳秒。

3 高效能
业界常用优质系数(Figure Of Merit，FOM)(FOM=RDSON×Qg)以导通电阻与栅极电荷的乘积值做为比较，可以客观的角度来评估MOSFET性能的优劣。在导通电阻相同的情况下，英飞凌号称全新OptiMOS 25V/30V器件的栅极电荷，比采用最接近的沟槽工艺制造的器件低35%，而其输出电荷比最佳的横向MOSFET器件低一半。

4 高功率/低热阻
MOSFET所能承受的最大功率损耗，是由硅片的接触面到外壳间的热阻所决定的，因此要达到高功率并减少导通电阻的目的，除了改良开发新的MOSFET 或工艺技术外，封装的方式亦扮演着重要的角色。英飞凌主流的封装方式为Super SO-8、CanPAKT相对传统的SO-8封装大幅减少热阻，并减少在焊接点及接触点的电阻外，进而降低等效导通电阻和组件本身的寄生电感。

6ED003L06F
6ED003L06-F
BSC016N03MSG
BSC018N04LSG
BSC020N03LSG
BSC022N03SG
BSC026N02KSG
BSC027N04LSG
BSC030N03LSG
BSC030N03MSG
BSC032N03SG
BSC042N03LSG
BSC042N03MSG
BSC042N03SG
BSC054N04NSG
BSC057N08NS3G
BSC059N03SG
BSC060N10NS3G
BSC079N10NSG
BSC100N10NSFG
BSC118N10NSG
BSC119N03SG
BSC120N03LSG
BSC120N03MSG