特博万德公司专业提供砷化镓衬底晶片（高质量）和多晶砷化镓晶棒，单晶砷化镓晶棒
产品用于LED, LD和太阳能市场，深受国内外客户的好评
GaAs wafer sepc.
Item | Unit | Sepcification | Remarks |
CrystalGrowth |
| VGF HB VB |
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Dopant |
| Si or Zn or undope | N-type/ P-type/ undope |
Diameter |
| 1”2” 3” 4” 6” |
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Orientation |
| (100) (111) | Other orientation available |
Carrier Concentration | /cm3 | 0.4~2.5*1018 | Other spec. available |
Resisitivity | Ohm.cm | (0.8-9)×10-3(1-9)×1017 | Other spec. available |
Mobility | cm2/v.s | 1500~3000 3000~5000 | Other spec. available |
EPD | /cm2 | <100 <500 <5000 <10000 | Other spec. available |
Thickness |
| ~350um ~625um | Other spec. available |
TTV | um | <10um or better |
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TIR | um | <10um or better |
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Bow | um | <10um or better |
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Warp | um | <10um or better |
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Surface |
| PE PP |
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Epi-ready |
| Yes |
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砷化镓多晶棒
合成方法：水平法（HB）
用 途：可用于发光二极管（LED）、激光二极管（LD）以及太阳能
电池 等领域砷化镓单晶的生产。
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| 砷化镓多晶料性能指标 |
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| 原料纯度 | 6N及以上 |
| 导电类型 | N型 |
| 迁移率（cm2/V＆#8226;s） | 2500~3500 |
| 载流子浓度（cm-3） | 1.0×1016~1.0×1017 |
| 产品外观 | D字形 |
| 尺寸 | 约60mm宽× 45mm高× 330mm长 |
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砷化镓单晶棒
生长方法 | VB |
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导电类型 | N型 |
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掺杂元素 | Si |
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直径 | 2-4 | 英寸 | |
方向 | (100) 150± 10′off toward〈111〉A |
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载流子浓度 | Min: 0.2 E18 | Max: 4.0 E18 | /cm3 |
电阻率 | Min: 0.8 E-3 | Max: 9.0 E-3 | Ohm.cm |
迁移率 | ≥ 1800 | cm2/v.s | |
位错密度 | ≤ 3500 | /cm2 | |
其他规格可按客户要求提供
