FAI Photo Emmission Microscope
FAI 微光发射显微镜（EMMI）
FAI 微光发射显微镜用于检测半导体内部缺陷引起的微光发射或微热发射来准确定位半导体器件的失效位置。通过使用不同类型的探测器，或者配置双激光扫描系统（SIFT），以及配合相应的检测软件来实现对半导体元器件或芯片电路的微光、微热、光激励诱导失效测试等各种分析手段。
FAI的Crystal Vision微光发射显微镜系统对所配置探测器的数量没有限制，可选择配置从一个到我们提供的所有型号的探测器和SIFT激光扫描头。
主要功能
CCD探测器：波长探测范围 365nm 至 1190nm；带电子半导体制冷器（TEC）的CCD探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂；CCD解析度为1280x1024；像素暗电流<0.002 电子/秒；读噪声<7 个电子；连续收集信号时间从32毫秒至2小时。
InGaAs探测器：波长探测范围 900nm – 1750nm；带电子半导体制冷器（TEC）的InGaAs探测器，可冷却稳定在 -40℃以下，无需使用危险的液氮制冷剂； InGaAs探测器分辨率为320x240，像素点尺寸为30 x 30um，更大的像素点面积可以收集更少的光子，探测灵敏度是普通640x480 InGaAs探测器的4倍；连续收集信号时间从1微秒到60分钟；有效波段范围内量子效率（QE）为 80-85%；灵敏度 NEI 70 QE 在950-1700nm范围内。
VisGaAs 探测器：波长探测范围 500nm – 1800nm，代表了新技术的VisGaAs 探测器覆盖了可见光-红外光波长检测范围，一个探头就可替代传统的CCD和InGaAs 两个探测器；半导体制冷器（TEC） ，可冷却稳定在 -40℃以下。
SIFT(Stimulus Induced Fault Testing)双波长激光扫描头：双激光源654nm和1428nm；通过激光扫描芯片电路，导致失效位置电阻发生变化，通过检测反馈信号的变化，从而检测到失效位置；SIFT扫描不受物镜视野限制，可以一次扫描完整整个检测区域，无需图像拼接，避免图像扭曲；FAI的恒定电流附加反馈回路的技术，不但提高了检测灵敏度，而且避免了检测时电压过高的风险；恒定焦距的定镜扫描，可以将激光点停留在任意指定位置，用于确认失效点。
FMI荧光热成像技术：FAI的微热分析技术，热分辨率是千分之一K(1/1000K)，可以室温操作，无需使用危险的液晶溶液。
LC液晶热成像技术：FAI的SLC（稳定液晶）液晶热成像技术的热分辨率为百分之一K (1/100 K)。
Moire云纹成像：从硅片背面采用“云纹图像成像”的方式来检测失效位置的微热变化。
