产品培训模块设计资源标准包装类别家庭系列包装FET 类型FET 功能漏源极电压 (Vdss)电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)功率 - 最大值安装类型封装/外壳供应商器件封装

High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)

IRLML2402TR Saber Model IRLML2402TR Spice Model

3,000

分立半导体产品

FET - 单

HEXFET®

带卷 (TR)

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

20V

1.2A

250 毫欧 @ 930mA，4.5V

700mV @ 250µA

3.9nC @ 4.5V

110pF @ 15V

540mW

表面贴装

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

Micro3™/SOT-23