多晶硅实验炉，多晶硅铸锭实验炉，多晶硅熔炼实验炉，多晶硅实验设备。

太阳能级硅锭制造，也可以用于其他半导体材料提纯。

特点

控制精度高，结晶速度自由调节

采用感应熔炼法，增加溶液搅拌，熔炼速度快

定向凝固保温采用特制加热电源

具有三相电流平衡，维护费用低

采用恒温度控制仪

主要技术参数

熔炼容量：3-25KG  

电源功率：50-160KW      

升温速率：40℃/Min    

炉温均匀性：±5℃       

极限真空度：1.0×10-3Pa     

压升率：    0.01PaL/S      

额定充气压力：0.05Mpa      

铸锭方式：下降定向凝固    

伺服控制范围：0.01mm-6mm/Min           

定向凝固速率：0.03mm-0.5mm/Min          

坩埚上升速度：80-100 mm/Min