硅片清洗加工设备,可广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺。 如半导体硅片、砷化镓,太阳能电池板,掩模板及各种平板显示器等,可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、 塑料等附件器皿的污染物,且不破坏晶片表面特性。可用于完成扩散前、光刻后、CMP后及氧化前等工艺的清洗工作。
目前我们主要的清洗设备有:
1、RCA清洗
2、沟槽蚀刻清洗
3、超声波清洗
4、显影槽
5、镀金&镀镍
6、吹砂后清洗
7、去氧化清洗
8、蒸清清洗
主要技术特点:
◆ 最大可清洗片子尺寸:Φ300mm。
◆ 槽体数量可根据用户工艺要求配置。
◆ 清洗槽最高加热温度可达200℃。
◆ 快速排放冲洗槽排放,冲洗次数可设置。
◆ 槽体结构可选单片盒,或双片盒结构。
◆ 槽内传输有手动、自动方式可选。
◆ 可选配超声清洗,或兆声清洗功能。
◆ 可选配液体循环系统。
◆ 具有故障提示,报警等功能。
主要技术指标:
◆ 去离子水压力:0.25~0.3Mpa
◆ 排水口:Φ60mm
◆ 酸液排放口:1/2″PFA管
◆ 氮气压力:0.25~0.3MPa
◆ 氮气接口管径:3/8″PE管
◆ 压缩空气压力:0.25~0.3 Mpa
◆ 压缩空气接口:3/8″PE管
◆ 电源:AC380V±AC38V (三相五线)
◆ 整机功率: 视用户配置而定
◆ 外型尺寸:根据用户要求制作