wenglor普通型漫反射传感器，首选东莞中昊
普通型漫反射传感器
这种传感器的外壳上安装有发送器和接收器。 发送器发射的光束被识别对象的表面反射。 接收器接收到部分反射光束，通过传感器内置的分析电子元件作为切换信号进行处理。 明亮的物体反射光线的能力强于暗淡的物体，因此识别距离更长。
应用示例
检查是否存在
识别物体
计数
监控堆垛高度
监控是否畅通
具有红外线光束的反射探测器
光斑不可视。 红外线穿透脏污或物体的能力更强。
HD03
凭借强聚焦的透镜，这种传感器尤其适合于识别距离较近和位于某种背景前的物体（例如位于机器部件之前或放置在传送带上）。 传感器 在出厂时已经调整至指定的探测距离。 在使用型号为 HD03PA 的传感器时，探测距离可以通过电位计进行修改。
设置
利用电位计进行设置。 在示教类型中通过按钮进行设置，从外部进行设置或经由 RS-232 接口及 IO-Link 进行设置。
接口
通过 RS-232 接口既可以激活传感器的功能，又能够收集传感器的结果。 通过 IO-Link 接口可以实现方便的参数设置和快速的诊断功能，并具有输出数据可供使用。
东莞市中昊自动化科技有限公司大量现货供应原装德国wenglor(威格勒）普通型漫反射传感器 型号有HD03NB3、HD03PA、HD03PA3、OTDK502A0002、OTDK502A0091、OTM502C0002、OTWK502A0002、OTWK502A0091、T1FL06VB、T1FL06VD、TB06PC7、TB06PC7K、TC22PA3、TC55NA3、TC55PA3、TC66PA3、TC66PC3、TD11PA3、TF55PA3S172、TF88PA3、TF88PA3S201、TK55PA7、TM11PCT2、TM22PA2、TM55PA2、TM55PCT2、TO11PB3、TO22PB、TO22PB3、TO22PD3、TR55PCT2、TW66PA3
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因此，常将其忽略。光电二极管的电流与入射辐射成线性关系??,输出的电流为+光电二极管的暗电流一般要远远小于光电流。丹培效应如图所示，当半导体材料的一部分被遮蔽，另一部分被光均匀照射时，曝光区产生本征吸收的情况下，将产生高密度的电子与空穴载流子，而遮蔽区的载流子浓度很低，形成浓度差。这种由于载流子迁移率的差别产生受照面与遮光面之间的伏特现象称为丹培效应。丹培效应产生的光生电压可由下式
与为热平衡载流子的浓度；?为半导体表面处的光生载流子浓度；?与?分别为电子与空穴的迁移率。?而?显然，计算???????+??????+??+????+???????式中。?>>?半导体的迎光面带正电，背光面带负电，产生光生伏特电压。称这种由于双极性载流子扩散运动速率不同而产生的光生伏特现象为丹培效应。光磁电效应在半导体上外加磁场，磁场的方向与光照方向垂直，当半导体受光照射产生丹培效应时，由于电子和空穴
使它运动轨迹发生偏转，磁场中的运动必然受到洛伦兹力的作用。空穴向半导体的上方偏转，电子偏向下方。结果在垂直于光照方向与磁场方向的半导体上下表面上产生伏特电压，称为光磁电场。这种现象称为半导体的光磁电效应。光磁电场为??+?????+?式中，??分别为，处型半导体在光辐射作用下激发出的少数载流子空穴的浓度；为双极性载流子的扩散系数，数值上等于++其中，与分别为电子与空穴的扩散系数。光
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