简介

IR的HEXFET功率场效应管irf3205采用先进的工艺技术制造，具有极低的导通阻抗。irf3205这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得irf3205成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。

开态电阻, Rds(on):8mohm

封装类型:TO-220AB TO-262 D2Pak

晶体管类型:MOSFET

电压 Vgs @ Rds on 测量:10V

电压, Vds 典型值:55V

电流, Id 连续:110A

Qg Typ： 97.3 nC

FET极性: N型沟道

先进的工艺技术 　贴片安装 　低端通孔安装 　超低导通阻抗 　动态dv/dt率 　175℃工作温度 　快速转换速率 　无铅环保