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功率
小功率
导电方式
增强型
导电沟道
P沟道
垂直导电结构
其他
型号
CES2301
品牌
华瑞/CET
封装外形
贴片
开启电压
-20V
最大漏极电流
-10A
最大散热功率
1.25W
控制方式
脉冲调频调宽式
用途
其他
材料
P-FET硅P沟道
CET华瑞 SOT-23封装MOS
BVds
Rds(on) Max(mΩ)
Ids
Pd
Qg(nC)
V
GS(th)
Config
Part No
(V)
Vgs@10V
Vgs@4.5V
Vgs@2.5V
Vgs@1.8V
(A)
(W)
Vgs=10V
Vgs=4.5V
(V)
-20
48
60
78
-4.2
1.25
13
-0.7
Single
CES2331
55
62
-3.8
1.25
13
-0.7
Single
CES2321
100
150
-2.8
1.25
11
-0.7
Single
CES2301
165
300
-2.2
1.25
6.2
-0.7
Single
CES2309
-30
48
80
-4.1
1.25
13.8
-1.6
Single
CES2323
55
86
-3.8
1.25
13
-1.6
Single
CES2313A
55
70
120
-4
1.25
8.4
-1.1
Single
CES2305
60
90
-3.6
1.25
17
-1.6
Single
CES2313
78
120
-3.2
1.25
9.5
-1.5
Single
CES2307
200
320
-1.9
1.25
6
-1.5
Single
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