供应大恒PPLN掺镁铌酸锂晶体及基片PPLN掺镁铌酸锂晶体及基片
掺镁铌酸锂晶体具备优异的电光和非线性光学性能,机械和化学性能好, 可透过波段范围宽, 还具有高的抗激光损伤能力和易于长成大尺寸晶体的优点,在集成光学、光波导应用领域有着独特的优势。
铌酸锂晶体中,当掺入5mol%MgO后,所生长出来的MgOCLN晶体的抗激光损伤阈值可以提高2个数量级,OH-吸收峰红移至3535cm-1,紫外吸收边移至310nm,极化翻转电压从21KV/mm降至6KV/mm以下。这些变化极大的拓展了LN晶体的应用范围。光学级掺镁铌酸锂晶片(Optical Grade MgO:LiNbO3 Wafer)轴向 Orientation | Z-cut ± 0.2° |
直径 Diameter | 76.2mm ± 0.3mm |
基准面 Orientation Flat (OF) | 22mm ± 2mm Perpendicular to X ± 0.2° |
第二基准 Second Refer. Flat (RF) | 10mm ±3mm Cw180° ± 0.5° from OF Cw270° ± 0.5° from OF |
厚度 Thickness | 500um ± 5um 1000um ± 5um |
晶片表面 Surface | 双面抛光Double sides polished S/D 20/10 |
TTV | ≤ 6um |
WARP | ≤ 20um |
浓度 Concentration | 0.5--6% |
折射率 Refraction Index | n0=2.2827 ± 0.0003 ne=2.1928± 0.0003 prism coupler method @632.8nm Doped 5mol% |
边缘倒角 Edge Beveling | Edge rounding |
特殊规格按客户要求