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技术特点：
1.切割硅片速度快，切割端面非常光滑平整，端面为硅本色，无氧化。
2.硅片切割深度一次可达2mm
3.CCD图象对位，定位精确，带图象自动识别功能。
设备样品：
技术参数：
型号 | KYC-Y400N |
波长 | 1064nm |
最大平均功率 | 400W |
不稳定度 | ＜±2％ |
激光模式 | 低阶模 |
最大峰值功率 | 12KW |
最大单脉冲能量 | 110J |
脉冲宽度 | 0.1-100ms |
切割范围 | 200mm*200mm |
切割速度 | 5mm/s(1.3mm厚硅片)/15mm/s(0.8mm厚硅片) |
最大切割深度 | 0.8mm（硅片） |
切割线宽 | 0.02mm~0.25 mm（视材料） |
输入电压 | AC380V±10%/50Hz，三相四线制 |
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