类别| 分立半导体产品 |
家庭| FET - 阵列 |
系列| - |
包装| 剪切带 (CT) |
FET 类型| N 和 P 沟道 |
FET 功能| 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss)| 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）| 540mA，430mA |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）| 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）| 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)| 2.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)| 150pF @ 16V |
功率 - 最大值| 250mW |
安装类型| 表面贴装 |
封装/外壳| SOT-563，SOT-666 |
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