FQP2N60C/FQPF2N60C
600V N沟道MOSFET
概述
这些N沟道增强型功率场效应
晶体管都采用飞兆半导体专有的生产，
平面条形，DMOS技术。
这种先进的技术，特别是针对已
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些器件非常
适用于高效率开关模式电源，
有源功率因数校正，电子镇流器
基于半桥拓扑。
特点
•2.0A，600V，RDS（ON）=4.7Ω@ VGS= 10 V
•低栅极电荷（典型8.5 nC）
•低Crss（典型4.3 pF）
•快速开关
•100％雪崩测试

•改进的dv / dt能力

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