产品信息
- 场效应管 单N沟道25V 8SON
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id连续:100A
- 漏源电压, Vds:25V
- 在电阻RDS（上）:2.2mohm
- 电压@ Rds测量:4.5V
- 阈值电压, Vgs th典型值:1.6V
- 功耗, Pd:3.1W
- 工作温度最小值:-55°C
- 工作温度最高值:150°C
- 封装类型:SON
- 针脚数:8
- MSL:MSL 1 -无限制
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd:3.1W
- 封装/箱盒:SON
- 工作温度范围:-55°C至+150°C
- 晶体管类型:功率MOSFET
- 漏极电流, Id最大值:100A
- 电压Vgs @ Rds on测量:10V
- 电压, Vds典型值:25V
- 电压, Vgs最高:1.6V
- 表面安装器件:SMD
深圳市富昌芯科技有限公司
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