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中国Ge晶体材料，高纯锗、单晶锗
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￥16000.00
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中诺新材（北京）科技有限公司
北京市海淀区清河嘉园甲1号1235
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密 度
5.32g/cm3
加工定制
是
种类
元素半导体
熔 点
937.2℃
沸 点
2830℃
用途
高纯单晶锗是制造晶体管和红外器件，光纤，太阳能电池的半导体材料
特性
非金属性质,单晶锗
原料辅料、初加工材料 > 电子与功能材料 > 半导体材料 >
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