IGBT吸收电容/

IGBT吸收电容

产品特点：双面金属化薄膜、无感结构、低等效串联电感、可承受较高的du/dt 能承受高脉冲电，ESR小，具有自愈性等。 
广泛用于：变频器、SVG、混合动力车、逆变焊机、太阳能/风力发电变流器等行业的“across-the-bus”功率线路设计，适用所有IGBT模块区域尖峰电压的吸收保护

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额定电压	700V.DC~3000V.DC
额定容量	0.0047μF~10μF
温度范围	-40°C~85°C
容量偏差	±5%, ±10%
极间耐电压	2Ur(DC) 10s 25±5℃
极壳耐电压	3000V 50Hz 60S, 25±5℃
损耗角正切	Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4，Cr＞1.0μF tgδ≤6×10-4
绝缘电阻	C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S
预期寿命	100000h at Ur and 70℃

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