斯纳达科技拥有完整的植球工艺，特别是对高通（m)系列PAD内凹3D封装芯片植球有独到工艺，地解决了小间距POP芯片植球难题，焊盘残锡处理技术已经达到国内外先进水平。

    POP植球，修旧如新！

     我们的植球工艺，ESD防护，IC烘烤，ROHS等各项指标均达到一些大公司BGA返修的基本要求；

   目前我们的主要客户有：东莞柏能(TI OMAP4430，4460，4470); 珠海伟创力(MSM8655); 华为(MSM8655);  高通(m); 富士康；惠州三星电子；TCL；金立手机等。

    BGA植球优势：

    1、完善的除锡工艺，确保每个焊点上的锡点均匀；
    2、8个温区的回流焊焊接；
    3、自主研发生产测试设备，先测试为良品后植球
    4、自主开发各类BGA植球辅助治具，如双螺植球治具已经申请了国家专利（专利号：201120194711.9）；

    5、POP植球一直是在为一些国际化的大公司服务，按高标准严格执行各项工艺，各项指标都符合高通原厂及各大厂的要求，如ESD/RHOS等；

    6、技术团队从业十多年，有非常丰富的经验。

      我们的指导思想是：苛求细节，追求！！