深圳市硕实科技供应IMP3211(S)厂家直供,一手货源,价格优势;为高压高速功率MOSFET和IGBT驱动器,为半桥应用而设计的高低侧独立的输出通道.专有的HVIC和抗CMOS工艺,耐用的整体结构.逻辑输入与标准CMOS输出有兼容性.提供内部死区时间以避免半桥直通,浮置沟道能驱动N沟道功率MOSFET或IGBT,高侧能以高达600V电压操作.替代IR2111

主要特性:

           1>专为自举操作设计的浮,浮置沟道,能在600V工作,容忍负暂态电压dV/dt

           2>栅驱动电压从10V-20V

          3>双通道欠电压锁定输出

          4>下拉的CMOS施密特触发输出

          5>双通道匹配的传输延迟

          6>内部设置死区时间

          7>高侧输出相位与输入一致

          8>无铅产品

应用领域:

         1>氙气灯镇流器

         2>金齿灯镇流器

         3>大功率节能灯镇流器

         4>荧光灯镇流器

         5>其他栅极驱动电路