IGBT/MOSFET驱动光耦FOD3120、FOD3150、FOD3180
标签：IGBT驱动，MOSFET驱动，驱动光耦
目前IGBT已经广泛应用在电力电子系统中，比如变频器，电机驱动控制，UPS不间断电源，逆变焊机等产品中，因为其兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的特性，故可使用 MOSFET 驱动技术进行驱动。
由于IGBT 在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路在电位上完全隔离，使用光耦进行隔离具有体积小、结构简单、应用方便等优点。
当IF输入 H 时，Tr1导通，Tr2截止，因此 VO=Vcc – Vtr1=H
此时Io的电流向外，基于此点，故可以接一个栅极电阻后直接驱动IGBT，无需外接电路
当IF输入 L 时，Tr1截止，Tr2导通，此时 VO=Vgnd+Vtr2=L
此时如果IGBT栅极上有残存的电荷，可通过Tr2到GND进行放电，关闭IGBT
逻辑关系如下：
FOD3120具有2.5A的电流输出能力，FOD3150具有1.0A的电流输出能力，而FOD3180不仅具有2.0A的电流输出能力，还具有最大200ns极低延迟的高速特性。
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