規格書IRF3808PbF
產品相片TO-220AB Pkg
產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB
標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET，GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道，金屬氧化物
FET特點標準
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C7 毫歐姆 @ 82A, 10V
漏極至源極的電壓(Vdss)75V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C140A
Id時的Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
閘電流(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
Vds時的輸入電容(Ciss)5310pF @ 25V
功率 - 最大330W
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-220-3
封裝管裝
供應商設備封裝TO-220AB
其他名稱*IRF3808PBF