規格書IRFB4110PbF
產品相片TO-220AB Pkg
產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB
標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物
FET特點邏輯電平閘極
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 毫歐姆 @ 75A, 10V
漏極至源極的電壓(Vdss)100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C120A
Id時的Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
閘電流(Qg) @ Vgs210nC @ 10V
Vds時的輸入電容(Ciss)9620pF @ 50V
功率 - 最大370W
安裝類型通孔
封裝/外殼TO-220-3
封裝管裝
供應商設備封裝TO-220AB