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IXTP06N120P IXTP06N120 MOSFET N-CH 1200V 0.75A TO-220
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产品属性
图文详情
品牌推荐
品牌/型号
IXY美国电报半导体/IXTP06N120P
导电方式
耗尽型
开启电压
1200(V)V
极间电容
0.2(pF)pF
低频噪声系数
0..2(dB)dB
最大漏极电流
0.6A(mA)A
用途
MAP/匹配对管
封装外形
CER-DIP/陶瓷直插
材料
ALGaAS铝镓砷
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