【IPD035N06L3 G IPD035N06L3G MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 原装】价格_厂家

品牌/型号

INFINEON/英飞凌/IPD035N06L3G

导电方式

增强型

开启电压

600（V）V

极间电容

40（pF）pF

低频噪声系数

51（dB）dB

最大漏极电流

53451（mA）A

用途

HG/高跨导

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

IPD035N06L3 G IPD035N06L3 G IPD035N06L3 G IPD035N06L3 G

規格書產品相片標準包裝類別家庭系列FET型FET特點漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° CId時的Vgs(th)（最大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - 最大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝其他名稱

IPD035N06L3 G

TO-263-3, D2Pak

2,500

離散半導體產品

FET - 單路

OptiMOS™

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

60V

90A

3.5 毫歐姆 @ 90A, 10V

2.2V @ 93µA