供应IRF3205S
深圳市南北行科技发展有限公司
中国 深圳
产品属性
图文详情
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用途
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
最大允许功耗
200W
加工定制
否
外形尺寸
TO-263-3mm
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）
8 毫欧 @ 62A，10V
FET 类型
MOSFET N 通道，金属氧化物
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)
146nC @ 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)
3247pF @ 25V
型号
IRF3205S
品牌
IR/国际整流器
沟道类型
N型沟道
类型
绝缘栅型场效应管/MOS场效应管
适合频率
其他
导电方式
增强型
材质
MES金属半导体
封装外形
其他
工作电流
110A
工作电压
55VV
