项 目

符 号

测试条件

最 小

典 型

最 大

单 位

正向压降

VF

IF=20 mA

-

1.2

1.5

V

IF=100 mA

（脉宽≦100μs,占空比≦1％）

-

1.4

1.8

IF=1A

（脉宽≦100μs,占空比≦1％）

-

2.6

4.0

辐射强度

Ee

IF=20 mA

15

20

-

mW/sr

反向电流

IR

VR=5V

-

-

10

μA

峰值波长

λP

IF=20 mA

-

940

-

nm

半光谱带宽

Δλ

IF=20 mA

-

45

-

nm

半发射角度

θ1/2

IF=20 mA

-

±15

-

5

１８

项 目

符 号

数 值

单 位

耗散功率

PD

80

mW

反向电压

VR

V

正向电流

IF

mA

脉冲电流(*1)

IFP

1

A

工作温度

Topr

-40∽+85

℃

储存温度

Tstg

-40∽+85

℃

焊接温度 (*2)

Tsol

260

℃