制造商: Fairchild Semiconductor 
产品种类: IGBT 晶体管 
RoHS:  详细信息 
配置: Single 
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 
集电极—射极饱和电压: 2 V 
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V 
在25 C的连续集电极电流: 50 A 
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 
功率耗散: 312 W 
最大工作温度: + 150 C 
封装 / 箱体: TO-3P-3 
封装: Tube 
集电极最大连续电流 Ic: 50 A 
最小工作温度: - 55 C 
安装风格: Through Hole 
系列: FGA 
工厂包装数量: 30 
零件号别名: FGA25N120ANTDTU_NL