【场效应管IRFP250N 晶体管 MOS管】价格_厂家

品牌/型号

IR/国际整流器/IRFP250N

封装外形

SMDSO/表面封装

型号

IRFP250N

材料

GE-P-FET锗P沟道

用途

MOS-ARR/陈列组件

品牌

IR/国际整流器

沟道类型

P沟道

种类

结型JFET

导电方式

增强型

制造商: International Rectifier
RoHS: 详细信息
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 200 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 30 A
Drain-Source On Resistance: 75 mOhms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247AC
封装: Tube
下降时间: 33 ns
Forward Transconductance - Min: 17 S
栅极电荷 Qg: 82 nC
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 214 W
上升时间: 43 ns
工厂包装数量: 25
典型关闭延迟时间: 41 ns

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