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SVF4N60D N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用仕兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
特点：
* 4A，600V，RDS(on)=2.0Ω@VGS=10V
* 低栅极电荷量
* 低反向传输电容
* 开关速度快
* 提升了dv/dt 能力
* 封装形式：TO-252-2L
还可提供其它规格：1N60DB（TO-92）、1N60M（TO-251）、1N60B（TO-92）、1N60D（TO-252）、2N60F（TO-220F）、2N60M（TO-251）、2N60D（TO-252）、2N60T（TO-220）、2N70F（TO-220F）、4N60F（TO-220F）、4N60D（TO-252）、4N60T（TO-220）、4N65F（TO-220F）、7N60F（TO-220F）、7N60T（TO-220）、8N60F（TO-220F）、10N65F（TO-220F）、10N65T（TO-220）、12N65F（TO-220F）
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