·Features 650nm100mw全新原装进口日本激光二极管
1)Maximum optical power output :100 mW(cw)
2)High power (pulse MAX 260mW)
3)Wavelength :TYP=658nm
4)High coupling efficiency,The ellipticity (Θ丄/Θ〢)is close to 1.8.
5)5.6mm package.TO-18
·Absolute Maximum Ratings
Parameter/Symbol -------Rating/Unit
1)Light output power/cw-----100mw
2)Light output power/pulse--260mw
3)Reverse voltage/VRL------- 2V
4)Case temperature/Tc------- -10~+75℃
5)Storage temperature/Tstg-- -40~+100℃
·Electrical/optical Characteristics(Tc=25℃)
Parameter/----Symbol-Testconditions--Min/Typ/Max-Unit
1)Threshold current/ith-----cw--------_-_/65_/_-_-mA
2)Operating current/iop-cw,po=80mw--_-_/170/_-_-mA
3)Operating voltage/vop-cw,po=80mw--_-_/2.5/3.0-V
4)Slope efficiency/--h--cw,po=80mw--_-_/0.95/_-_-mw/mA
5)Peak wavelength/--λp--cw,po=80mw--654/658/662-nm
6)Beam pergence angle-cw,po=80mw--7__/9.5/12_-(parallel/Θ丄)
7)Beam pergence angle-cw,po=80mw--14_/17_/20_-(perpendicular/Θ〢)
半导体激光二极管LD在工作中易退化的四大原因
半导体激光二极管LD本身比较娇嫩,从它刚出现就面临着使用寿命的问题,经过不断的研究改进,目前激光二极管LD的寿命可达1万小时,以能够满足光纤通信使用的需要。激光二极管LD在工作中易退化的原因主要有以下几个方面:
1,半导体激光二极管LD的管芯极小,工作电流密度和光功率密度很高,而作为激光物质的半导体单晶材料又较容易发生缺陷,这些缺陷在电和光的作用下逐渐发展,从而引起器件性能的退化。
2,半导体激光二极管LD的镜面是用解理工艺形成的,镜面本身受到环境条件影响而污染也会也会导致激光二极管LD性能退化。
3,激光二极管LD的管芯焊接也是关键技术,管芯焊在热沉之上,而有源去距离热沉只有几微米;半导体激光二极管LD工作会发热,如果焊料太多,受热时会发生缓慢的攀移,使半导体激光二极管LD发生短路,导致激光二极管LD退化。
4,随着工作时间的延长,激光二极管LD的阈值电流会缓慢增加,从而导致激光二极管LD退化。
650nm100mw全新原装进口日本激光二极管应用
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