数据列表AO4612
产品相片8-SOIC
8 SOIC
其它图纸AO4xxx Series 8-SOIC Top
AO4xxx Series 8-SOIC End
AO4xxx Series 8-SOIC Side
标准包装

3,000类别分立式导体产品家庭FET - 阵列系列-包装

带卷 (TR)

FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)60V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)4.5A,3.2A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)56 毫欧 @ 4.5A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)540pF @ 30V功率 - 最大值2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)供应商器件封装8-SOIC产品目录页面1668 (CN2011-ZH PDF)
其它名称785-1041-2
;萬國高科電子有限公司
WGWY ELECTRONICS CO.,LT
郑萍
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